山東天岳先進科技股份有限公司sicc | 碳化硅襯底|半導體碳化硅襯底材料

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產品信息

4H 導電型

SiC單晶襯底

4H n-type

當前位置 > 4H-導電型碳化硅單晶襯底

天岳先進不斷追求更高的晶體質量和加工質量
更好的滿足客戶的需求
目前可批量供應6英寸產品
8英寸產品正在研發中

*更加詳細的產品信息歡迎咨詢營銷團隊

基本信息

導電型

晶型 4H
直徑（mm） 150
偏角（°） 4
厚度（μm） 350
表面狀態 Epi-ready

電力電子器件

通過在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層，制得碳化硅同質外延片，可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、IGBT等功率器件，應用在新能源汽車，軌道交通以及大功率輸電變電等領域。

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