山東天岳先進科技股份有限公司sicc | 碳化硅襯底|半導體碳化硅襯底材料

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產品信息

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天岳先進碳化硅單晶襯底

襯底電學性能決定了下游芯片功能與性能的優劣，為使材料能滿足不同芯片的功能要求，需要制備電學性能不同的碳化硅襯底。
按照電學性能的不同，碳化硅襯底可分為高電阻率的半絕緣型碳化硅襯底，和低電阻率的導電型碳化硅襯底。

4H n-type

4H-導電型碳化硅單晶襯底

4H-導電型碳化硅單晶襯底產品信息詳情

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4H Semi-Insulating-type

4H-半絕緣型碳化硅單晶襯底

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