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                            製品情報

                            4H 半絶縁型

                            SiCウェーハ

                            4H Semi-Insulating

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                            トップ >SiCウェーハ
                            半絶縁型SiCウェーハは、ワイドギャップ半導體材料であり、
                            且つ高周波動作に対応することが出來る材料です。
                            パワーデバイス領域と同様にその優れた物理特性が高周波デバイスにおいても有用であり、
                            5G通信技術等の発展に大きな役割が期待されています。

                            *製品の詳細については下記よりお問い合せください。

                            > お問い合せ

                            基本仕様

                            半絶縁型
                            • ポリタイプ 4H
                            • 直徑(mm) 100 & 150
                            • オフ角(°) 0
                            • 厚み(μm) 500
                            • 表面 Epi-ready

                            高周波(RF)デバイス

                            半絶縁型SiCウェハーは、ワイドギャップ半導體材料であり、且つ高周波動作に対応することが出來る材料です。パワーデバイス領域と同様にその優れた物理特性が高周波デバイスにおいても有用であり、5G通信技術等の発展に大きな役割が期待されています。
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